高脈衝功率紅外線二極體雷射技術

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更新時間：2022-10-07 15:37

【技術簡介】
通訊用途之國產近紅外線二極體雷射之光功率約毫瓦等級，屬於低功率雷射；相較之下，數十瓦、甚至100瓦以上之軍規等級高功率雷射，技術門檻較高，同時也是國內較欠缺的關鍵零組件技術。本院是國內極少數具有高功率二極體雷射技術之政府研發單位，同時具備磊晶、元件製程及封裝等能力。本院擁有之III-V族化合物半導體磊晶技術採用有機金屬化學氣相沉積法(Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)，磊晶設備採用德國Aixtron公司製造的AIX2800G4商用量產型機台，每一批次生產可產出60片2吋雷射晶片或15片4吋雷射晶片。本院開發之高脈衝功率紅外線二極體雷射技術，具備客製化雷射波長、光斑及光脈衝功率之優點，雷射波長870~930nm，短軸發散角小於10度，光脈衝功率最高可達100瓦以上。另外，亦可選擇磊晶堆疊式或機械堆疊式雷射晶片，並搭配TO-5、TO-18、TO-56及其它款式之TO-can封裝，應用範圍廣泛。

【計畫規劃/技術應用】
本院擁有MOCVD磊晶、元件製程及封裝等能力，具有客製化技術規格之彈性優點。透過本院精密元件及封裝製程，可選擇適當的雷射晶片堆疊方式，再搭配多樣式的TO-can封裝，滿足客戶產品應用端之需求。
本所製作高脈衝功率雷射所需之核心封裝設備

本院製作高脈衝功率雷射所需之核心封裝設備(a)高精密打線機；(b)封蓋機；(c) TO-5封裝之雷射外觀；(d) TO-56封裝之內部構造。

【未來佈局】
本院開發之高脈衝功率紅外線二極體雷射技術，可應用於國防工業、自駕車所需之雷射測距光達系統。本院期許自製高功率雷射能成功跨入國內關鍵零組件供應鏈之一，協助實現國防自主目標，促進國安及民生相關產業進步。

【連絡資訊】
姓名：蔡雨利
電話：03-4711400分機7533
E-mail: yulitsai@nari.org.tw