電子元件質子照射測試技術：3~30 MeV質子應用

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更新時間：2026-09-30 07:47

技術簡介：

本研發成果適用於不同情境下之質子能量調整，使用國原院迴旋加速器質子源，強化國內質子輻射測試技術量能，提供質子輻射照射測試等技術服務，為國內目前唯一中低能量質子照射測試場域，可有效支援國內太空產業發展。

技術應用方式或技術優勢：

國原院獨家打造國內唯一「3–30 MeV 中低能量質子輻射照射場域」，突破傳統測試限制！

技術核心掌握「降能器結構」、「射束均勻化」及「高效冷卻裝置」三大創新發明專利，能靈活彈性調整質子能量與均勻度。結合大氣環境直接測試能力與高通率束流優勢，大幅縮短半導體（射頻、功率、光電元件與太陽能電池等）與衛星關鍵組件的抗輻射測試週期。

此技術不僅提供高效能的質子輻射照射驗證服務，更完美填補國內抗輻射測試的缺口，是推動台灣半導體加值升級與國產太空產業鏈邁向國際的關鍵核心推手。

專利名稱：

1. 用於調整質子束能量之降能器結構(發明第I858669號)

2. 質子射束均勻化裝置(發明第 I876950 號)

3. 具冷卻裝置之質子束能量調整降能器(發明第I899000號)

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