【技術應用方式】
1. 客製化磊晶試製：依指定之緩衝層設計、碳摻雜濃度、p-GaN 厚度與 AlGaN 組成，進行 4 吋 GaN-on-Si 磊晶開發及小批量試製。
2. 技術移轉與共同開發：製程參數視窗、缺陷抑制與碳摻雜高阻層。
【技術優勢】
1. 自有 MOCVD，磊晶結構與參數可快速調整、小批量試製，研發彈性高，不受代工排程限制。
2. 低缺陷密度 3.2~9.9×108 cm-2、XRD FWHM 最佳 273/311 arcsec，優於業界指標。
3. 碳摻雜高阻緩衝層使垂直崩壓 850 V、側向崩壓 1,317 V（電極間距 10 μm 測試結構），較未摻雜結構提升約 20 %。
4. 抗輻射：質子照射後 ΔVTH < 0.05 V、Δgm 約 5 %、電流塌陷率無變化；本院自有30 MeV質子加速器，形成「磊晶-元件-輻射驗證」完整鏈結。
